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NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Nur als Referenz

Teilenummer NGTD13R120F2SWK
PNEDA Teilenummer NGTD13R120F2SWK
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NGTD13R120F2SWK Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTD13R120F2SWK
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NGTD13R120F2SWK, NGTD13R120F2SWK Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 82,47 KB)
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NGTD13R120F2SWK Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.6V @ 25A
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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1N4007-N-2-2-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GI912-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

750ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

SRP100B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 125°C

D820N28TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2800V

Current - Average Rectified (Io)

820A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 750A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 2800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

NSF8MT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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RES 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

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