NGTB25N120SWG
Nur als Referenz
Teilenummer | NGTB25N120SWG |
PNEDA Teilenummer | NGTB25N120SWG |
Beschreibung | IGBT 25A 1200V TO-247 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.352 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NGTB25N120SWG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NGTB25N120SWG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NGTB25N120SWG Datasheet
- where to find NGTB25N120SWG
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NGTB25N120SWG
- NGTB25N120SWG PDF Datasheet
- NGTB25N120SWG Stock
- NGTB25N120SWG Pinout
- Datasheet NGTB25N120SWG
- NGTB25N120SWG Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NGTB25N120SWG Price
- NGTB25N120SWG Distributor
NGTB25N120SWG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
Leistung - max | 385W |
Schaltenergie | 1.95mJ (on), 600µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 178nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 87ns/179ns |
Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 154ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 3V, 100A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 55W Schaltenergie 3.2µJ (on), 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 570ns/- Testbedingung 960V, 7A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.01mJ (on), 297µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.2ns/65.6ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31.8ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.28mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/126ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |