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NGTB20N120IHLWG

NGTB20N120IHLWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB20N120IHLWG
PNEDA Teilenummer NGTB20N120IHLWG
Beschreibung IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB20N120IHLWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB20N120IHLWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB20N120IHLWG, NGTB20N120IHLWG Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 169,67 KB)
PDFNGTB20N120IHLWG Datenblatt Cover
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NGTB20N120IHLWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
Leistung - max192W
Schaltenergie700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/235ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RJH60D1DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

IKQ50N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/297ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

IRG4PC50U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

120µJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/170ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IHW40N135R3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 40A

Leistung - max

429W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

365nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/343ns

Testbedingung

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

MT40A512M16LY-075:E

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STW20NK50Z

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

LM393DT

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Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.4MA 8-SOIC

MPQ7053

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TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

ISL21010CFH325Z-TK

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Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

EPM2210F324C5N

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Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA

7443556350

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FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

ZXM61P02FTA

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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

PIC18F65J15-I/PT

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Microchip Technology

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766161102GPTR13

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