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NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NGB8207ABNT4G
PNEDA Teilenummer NGB8207ABNT4G
Beschreibung IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 3.834
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGB8207ABNT4G Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGB8207ABNT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGB8207ABNT4G, NGB8207ABNT4G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 860,33 KB)
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NGB8207ABNT4G Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)365V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 3.7V, 10A
Leistung - max165W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

95µJ (on), 115µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18.5ns/72ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

STGWA60H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

66ns/210ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 40A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

3.87mJ (on), 1.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/226ns

Testbedingung

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

340ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

ISL9V3036S3ST

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

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Schaltenergie

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Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/140ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

TO-247-3

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