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NGB18N40CLBT4G

NGB18N40CLBT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NGB18N40CLBT4G
PNEDA Teilenummer NGB18N40CLBT4G
Beschreibung IGBT 430V 18A 115W D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.122
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NGB18N40CLBT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGB18N40CLBT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGB18N40CLBT4G, NGB18N40CLBT4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 87,57 KB)
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NGB18N40CLBT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 4V, 15A
Leistung - max115W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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STGB6M65DF2

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

36µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/90ns

Testbedingung

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXGT24N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/200ns

Testbedingung

1360V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGWA30N120KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/251ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4PC60FPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

300µJ (on), 4.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

290nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/310ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

577W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/177ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

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