NE5230DR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE5230DR2G |
| PNEDA Teilenummer | NE5230DR2G |
| Beschreibung | IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE5230DR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE5230DR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Verstärker-ICs › Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operationsverstärker, Pufferverstärker |
| Datenblatt |
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NE5230DR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Verstärkertyp | General Purpose |
| Anzahl der Schaltkreise | 1 |
| Ausgabetyp | Rail-to-Rail |
| Anstiegsgeschwindigkeit | 0.25V/µs |
| Produkt mit Bandbreite gewinnen | 600kHz |
| -3db Bandbreite | - |
| Current - Input Bias | 40nA |
| Spannung - Eingangsversatz | 400µV |
| Stromversorgung | 1.1mA |
| Strom - Ausgang / Kanal | 32mA |
| Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) | 1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Analog Devices Inc. Serie - Verstärkertyp General Purpose Anzahl der Schaltkreise 1 Ausgabetyp - Anstiegsgeschwindigkeit 0.3V/µs Produkt mit Bandbreite gewinnen 600kHz -3db Bandbreite - Current - Input Bias 1.2nA Spannung - Eingangsversatz 10µV Stromversorgung 1.6mA Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) 6V ~ 36V, ±3V ~ 18V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
