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NE3514S02-A

NE3514S02-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3514S02-A
PNEDA Teilenummer NE3514S02-A
Beschreibung HJ-FET NCH 10DB S02
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.366
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE3514S02-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3514S02-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3514S02-A, NE3514S02-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.017,68 KB)
PDFNE3514S02-A Datenblatt Cover
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NE3514S02-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz20GHz
Gewinn10dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)70mA
Rauschzahl0.75dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketS02

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

20W

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

20mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

940MHz

Gewinn

32.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

TO-270-16 Variant, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TO-270 WBL-16

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

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