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NE3210S01-T1B

NE3210S01-T1B

Nur als Referenz

Teilenummer NE3210S01-T1B
PNEDA Teilenummer NE3210S01-T1B
Beschreibung FET RF 4V 12GHZ S01
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 1 - Jan 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE3210S01-T1B Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3210S01-T1B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3210S01-T1B, NE3210S01-T1B Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.415,36 KB)
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NE3210S01-T1B Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz12GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)15mA
Rauschzahl0.35dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD
LieferantengerätepaketSMD

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.6dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

PTFB212507SHV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BLF245,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

2dB

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-123A

Lieferantengerätepaket

CRFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

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