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NDS8961

NDS8961

Nur als Referenz

Teilenummer NDS8961
PNEDA Teilenummer NDS8961
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.862
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NDS8961 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDS8961
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NDS8961, NDS8961 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 332,37 KB)
PDFNDS8961 Datenblatt Cover
NDS8961 Datenblatt Seite 2 NDS8961 Datenblatt Seite 3 NDS8961 Datenblatt Seite 4 NDS8961 Datenblatt Seite 5 NDS8961 Datenblatt Seite 6 NDS8961 Datenblatt Seite 7 NDS8961 Datenblatt Seite 8 NDS8961 Datenblatt Seite 9 NDS8961 Datenblatt Seite 10

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NDS8961 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A, 300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC2320TG-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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CSD87313DMST

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 15V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-WSON (3.3x3.3)

FDMC89521L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1635pF @ 30V

Leistung - max

1.9W (Ta), 16W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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