NDPL180N10BG
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| Teilenummer | NDPL180N10BG |
| PNEDA Teilenummer | NDPL180N10BG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NDPL180N10BG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NDPL180N10BG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NDPL180N10BG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 15V, 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
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