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NDH8304P

NDH8304P

Nur als Referenz

Teilenummer NDH8304P
PNEDA Teilenummer NDH8304P
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NDH8304P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDH8304P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NDH8304P, NDH8304P Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 60,18 KB)
PDFNDH8304P Datenblatt Cover
NDH8304P Datenblatt Seite 2 NDH8304P Datenblatt Seite 3 NDH8304P Datenblatt Seite 4 NDH8304P Datenblatt Seite 5 NDH8304P Datenblatt Seite 6

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NDH8304P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds865pF @ 10V
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
LieferantengerätepaketSuperSOT™-8

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 6V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Leistung - max

150W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

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EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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