Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NDD60N745U1T4G

NDD60N745U1T4G

Nur als Referenz

Teilenummer NDD60N745U1T4G
PNEDA Teilenummer NDD60N745U1T4G
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.772
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NDD60N745U1T4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDD60N745U1T4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NDD60N745U1T4G, NDD60N745U1T4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 133,96 KB)
PDFNDD60N745U1T4G Datenblatt Cover
NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 2 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 3 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 4 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 5 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 6 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 7 NDD60N745U1T4G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NDD60N745U1T4G Datasheet
  • where to find NDD60N745U1T4G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NDD60N745U1T4G
  • NDD60N745U1T4G PDF Datasheet
  • NDD60N745U1T4G Stock

  • NDD60N745U1T4G Pinout
  • Datasheet NDD60N745U1T4G
  • NDD60N745U1T4G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NDD60N745U1T4G Price
  • NDD60N745U1T4G Distributor

NDD60N745U1T4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)84W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTTFS4929NTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A (Ta), 34A(Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

810mW (Ta), 22.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

SQJA38EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

EPC2020

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 31A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

DMP2006UFGQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.5A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

CSD18511KCS

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

194A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5940pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

188W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

BNX002-01

BNX002-01

Murata

FILTER LC TH

142.6185.5106

142.6185.5106

Littelfuse

FUSE AUTOMOTIVE 10A 58VDC BLADE

ICM7555ISA+

ICM7555ISA+

Maxim Integrated

IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

T521X336M050ATE075

T521X336M050ATE075

KEMET

CAP TANTALUM 33UF 50V 2917

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

REF195GS

REF195GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

M29W640FB70N6E

M29W640FB70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

LPC4330FBD144,551

LPC4330FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT ROMLESS 144LQFP

EN6347QI

EN6347QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V

B540C-13-F

B540C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323