NDD03N80Z-1G
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Teilenummer | NDD03N80Z-1G |
PNEDA Teilenummer | NDD03N80Z-1G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.334 |
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NDD03N80Z-1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NDD03N80Z-1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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NDD03N80Z-1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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