NCV5701BDR2G
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| Teilenummer | NCV5701BDR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCV5701BDR2G |
| Beschreibung | HIGH CURRENT IGBT GATE DR |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.790 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCV5701BDR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCV5701BDR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCV5701BDR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side or Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT |
| Spannung - Versorgung | 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 20mA, 15mA |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 9.2ns, 7.9ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 430ns, 260ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO PowerPad |
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