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NCV57000DWR2G

NCV57000DWR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCV57000DWR2G
PNEDA Teilenummer NCV57000DWR2G
Beschreibung IC IGBT GATE DRIVER
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $48,2906
100 ---------- $46,0269
250 ---------- $43,7633
500 ---------- $41,4997
750 ---------- $39,6133
1.000 ---------- $37,7270
Auf Lager 2.476
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NCV57000DWR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCV57000DWR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCV57000DWR2G, NCV57000DWR2G Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 225,12 KB)
PDFNCV57000DWR2G Datenblatt Cover
NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 2 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 3 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 4 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 5 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 6 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 7 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 8 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 9 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 10 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 11

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NCV57000DWR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT
Spannung - Versorgung24V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)7.8A, 7.1A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)10ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

11V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

LTC1165CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

3

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP2121FRTBZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1.4V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

9-TDFN (4x4)

FAN3278TMX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 27V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.25V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

21ns, 8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MIC4427BN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 29ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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