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NCV5183DR2G

NCV5183DR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCV5183DR2G
PNEDA Teilenummer NCV5183DR2G
Beschreibung IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.736
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NCV5183DR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCV5183DR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCV5183DR2G, NCV5183DR2G Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 552,32 KB)
PDFNCV5183DR2G Datenblatt Cover
NCV5183DR2G Datenblatt Seite 2 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 3 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 4 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 5 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 6 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 7 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 8 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 9 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 10 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 11

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NCV5183DR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH1.2V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4.3A, 4.3A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)12ns, 12ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Serie

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Angetriebene Konfiguration

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Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

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Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 15ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

11.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

24ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

24-SSOP

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 430mA

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

75ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

TSC426CPA+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

98-0119PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.3V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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