NCP81080DR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCP81080DR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCP81080DR2G |
| Beschreibung | LOW-COST HIGH VOLTAGE DUA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCP81080DR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCP81080DR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCP81080DR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 5.5V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1.2V, 1.8V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 500mA, 800mA |
| Eingabetyp | TTL |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 19ns, 17ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 8ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
