NCP5359MNR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCP5359MNR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCP5359MNR2G |
| Beschreibung | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 10DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCP5359MNR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCP5359MNR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCP5359MNR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 35V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 16ns, 11ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-DFN (3x3) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 25ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket TO-220-5 |
