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NCP5359MNR2G

NCP5359MNR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCP5359MNR2G
PNEDA Teilenummer NCP5359MNR2G
Beschreibung IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 10DFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.976
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NCP5359MNR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCP5359MNR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCP5359MNR2G, NCP5359MNR2G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 146,71 KB)
PDFNCP5359DR2G Datenblatt Cover
NCP5359DR2G Datenblatt Seite 2 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 3 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 4 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 5 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 6 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 7 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 8 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 9

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NCP5359MNR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)35V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)16ns, 11ns
Betriebstemperatur0°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-DFN (3x3)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

130ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TPS28226DRBT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 8.8V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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SN75452BD

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 7ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4429CAT

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

MAX4427ESA

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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