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NCP5359DR2G

NCP5359DR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCP5359DR2G
PNEDA Teilenummer NCP5359DR2G
Beschreibung IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NCP5359DR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCP5359DR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCP5359DR2G, NCP5359DR2G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 146,71 KB)
PDFNCP5359DR2G Datenblatt Cover
NCP5359DR2G Datenblatt Seite 2 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 3 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 4 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 5 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 6 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 7 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 8 NCP5359DR2G Datenblatt Seite 9

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NCP5359DR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)35V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)16ns, 11ns
Betriebstemperatur0°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Lieferantengerätepaket

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

6SD312EI

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Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

0V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

160ns, 130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

M57962CL-01

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

600ns, 400ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 60°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-SIP Module, 12 Leads

Lieferantengerätepaket

Module

LM5101CSDX

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

990ns, 715ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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