NCP3418BDR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCP3418BDR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCP3418BDR2G |
| Beschreibung | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCP3418BDR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCP3418BDR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCP3418BDR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.6V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 30V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 16ns, 11ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 500mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5ns, 7ns Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
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