NCD57001DWR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCD57001DWR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCD57001DWR2G |
| Beschreibung | GALVANIC ISOLATED HIGH CU |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCD57001DWR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCD57001DWR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCD57001DWR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT |
| Spannung - Versorgung | 24V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 7.8A, 7.1A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10ns, 15ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 17V Logikspannung - VIL, VIH 3V, 8V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 120V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 210mA, 360mA Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 100ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller IXYS Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 35V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket TO-220-5 |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 24ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
