NAND512W3A2DN6E
Nur als Referenz
Teilenummer | NAND512W3A2DN6E |
PNEDA Teilenummer | NAND512W3A2DN6E |
Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 24.208 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NAND512W3A2DN6E Ressourcen
Marke | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NAND512W3A2DN6E |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NAND512W3A2DN6E Datasheet
- where to find NAND512W3A2DN6E
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. NAND512W3A2DN6E
- NAND512W3A2DN6E PDF Datasheet
- NAND512W3A2DN6E Stock
- NAND512W3A2DN6E Pinout
- Datasheet NAND512W3A2DN6E
- NAND512W3A2DN6E Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- NAND512W3A2DN6E Price
- NAND512W3A2DN6E Distributor
NAND512W3A2DN6E Technische Daten
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Serie | - |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 50ns |
Zugriffszeit | 50ns |
Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 48-TSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512M (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TFBGA (13x8) |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 183MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EERAM Technologie EEPROM, SRAM Speichergröße 4Kb (512 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1ms Zugriffszeit 400ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |