NAND512W3A2CN6E
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| Teilenummer | NAND512W3A2CN6E |
| PNEDA Teilenummer | NAND512W3A2CN6E |
| Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NAND512W3A2CN6E Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NAND512W3A2CN6E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
NAND512W3A2CN6E, NAND512W3A2CN6E Datenblatt
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NAND512W3A2CN6E Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 50ns |
| Zugriffszeit | 50ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 48-TSOP |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
