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NAND01GW3B2AN6F

NAND01GW3B2AN6F

Nur als Referenz

Teilenummer NAND01GW3B2AN6F
PNEDA Teilenummer NAND01GW3B2AN6F
Beschreibung IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NAND01GW3B2AN6F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNAND01GW3B2AN6F
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
NAND01GW3B2AN6F, NAND01GW3B2AN6F Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 1.335,5 KB)
PDFNAND01GR3B2CZA6E Datenblatt Cover
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NAND01GW3B2AN6F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite30ns
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP

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Serie

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Speichertyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6.7ns

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (1M x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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