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N25Q512A13G12A0F TR

N25Q512A13G12A0F TR

Nur als Referenz

Teilenummer N25Q512A13G12A0F TR
PNEDA Teilenummer N25Q512A13G12A0F-TR
Beschreibung IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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N25Q512A13G12A0F TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerN25Q512A13G12A0F TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
N25Q512A13G12A0F TR, N25Q512A13G12A0F TR Datenblatt (Total Pages: 96, Größe: 1.334,44 KB)
PDFN25Q512A83G12H0F TR Datenblatt Cover
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N25Q512A13G12A0F TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (128M x 4)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz108MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8ms, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA
Lieferantengerätepaket24-T-PBGA (6x8)

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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