N25Q128A13ESEDFG
Nur als Referenz
| Teilenummer | N25Q128A13ESEDFG |
| PNEDA Teilenummer | N25Q128A13ESEDFG |
| Beschreibung | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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N25Q128A13ESEDFG Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | N25Q128A13ESEDFG |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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N25Q128A13ESEDFG Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (32M x 4) |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 108MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 8ms, 5ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (8x12) |
Hersteller Everspin Technologies Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (8x8) |
