N0439N-S19-AY
Nur als Referenz
| Teilenummer | N0439N-S19-AY |
| PNEDA Teilenummer | N0439N-S19-AY |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 100A |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
N0439N-S19-AY Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | N0439N-S19-AY |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- N0439N-S19-AY Datasheet
- where to find N0439N-S19-AY
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America N0439N-S19-AY
- N0439N-S19-AY PDF Datasheet
- N0439N-S19-AY Stock
- N0439N-S19-AY Pinout
- Datasheet N0439N-S19-AY
- N0439N-S19-AY Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- N0439N-S19-AY Price
- N0439N-S19-AY Distributor
N0439N-S19-AY Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5850pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1nF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK (SINGLE GAUGE) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1040W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 780W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SP4 Paket / Fall SP4 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 320mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-TSST Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
