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MX29LV800CTMI-55Q

MX29LV800CTMI-55Q

Nur als Referenz

Teilenummer MX29LV800CTMI-55Q
PNEDA Teilenummer MX29LV800CTMI-55Q
Beschreibung IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
Hersteller Macronix
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MX29LV800CTMI-55Q Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX29LV800CTMI-55Q
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX29LV800CTMI-55Q, MX29LV800CTMI-55Q Datenblatt (Total Pages: 76, Größe: 3.333,48 KB)
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MX29LV800CTMI-55Q Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMX29LV
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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8-PDIP

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

550MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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