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MX29LV040CQC-70G

MX29LV040CQC-70G

Nur als Referenz

Teilenummer MX29LV040CQC-70G
PNEDA Teilenummer MX29LV040CQC-70G
Beschreibung IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC
Hersteller Macronix
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MX29LV040CQC-70G Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX29LV040CQC-70G
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX29LV040CQC-70G, MX29LV040CQC-70G Datenblatt (Total Pages: 45, Größe: 1.842,49 KB)
PDFMX29LV040CQC-90G Datenblatt Cover
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MX29LV040CQC-70G Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMX29LV
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket32-PLCC (11.43x14.05)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ns

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-VSOP

71256S45DB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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28-CerDip

AS7C256B-15PINTR

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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