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MX25L25655FXCI-10G

MX25L25655FXCI-10G

Nur als Referenz

Teilenummer MX25L25655FXCI-10G
PNEDA Teilenummer MX25L25655FXCI-10G
Beschreibung IC FLASH 256M SPI 24CSPBGA
Hersteller Macronix
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MX25L25655FXCI-10G Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX25L25655FXCI-10G
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX25L25655FXCI-10G, MX25L25655FXCI-10G Datenblatt (Total Pages: 107, Größe: 3.808,6 KB)
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MX25L25655FXCI-10G Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMXSMIO™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße256Mb (32M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite30µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket24-CSPBGA (6x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

AS4C16M16SA-6BINTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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