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MX25L12865EMI-10G

MX25L12865EMI-10G

Nur als Referenz

Teilenummer MX25L12865EMI-10G
PNEDA Teilenummer MX25L12865EMI-10G
Beschreibung IC FLASH 128MBIT
Hersteller Macronix
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Auf Lager 2.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MX25L12865EMI-10G Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX25L12865EMI-10G
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX25L12865EMI-10G, MX25L12865EMI-10G Datenblatt (Total Pages: 85, Größe: 4.319,09 KB)
PDFMX25L6465EMI-10G Datenblatt Cover
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MX25L12865EMI-10G Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMXSMIO™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite300µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOP

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Hersteller

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-SOJ

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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