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MX25L12855EMI-10G

MX25L12855EMI-10G

Nur als Referenz

Teilenummer MX25L12855EMI-10G
PNEDA Teilenummer MX25L12855EMI-10G
Beschreibung IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP
Hersteller Macronix
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MX25L12855EMI-10G Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX25L12855EMI-10G
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX25L12855EMI-10G, MX25L12855EMI-10G Datenblatt (Total Pages: 81, Größe: 3.741,5 KB)
PDFMX25L12855EMI-10G Datenblatt Cover
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MX25L12855EMI-10G Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMXSMIO™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite300µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOP

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

576Kb (32K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-FBGA (8x13)

7025L70GB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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