MURTA600120R
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Teilenummer | MURTA600120R |
PNEDA Teilenummer | MURTA600120R |
Beschreibung | DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.916 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MURTA600120R Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MURTA600120R |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
Datenblatt |
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MURTA600120R Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 300A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Three Tower |
Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 180ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
IXYS Hersteller IXYS Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 91A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.87V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227B |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 53A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket ISOTOP® |