MURTA50020
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| Teilenummer | MURTA50020 |
| PNEDA Teilenummer | MURTA50020 |
| Beschreibung | DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.024 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MURTA50020 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MURTA50020 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MURTA50020 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 500A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 250A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3300V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.5V @ 400A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 550A @ 1800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket A-IHV130-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 31A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 83µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 160A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 160A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Screw Mount Paket / Fall TO-249AA Lieferantengerätepaket TO-249AA |
