MURT20010R
Nur als Referenz
| Teilenummer | MURT20010R |
| PNEDA Teilenummer | MURT20010R |
| Beschreibung | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MURT20010R Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MURT20010R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MURT20010R Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-249AB Lieferantengerätepaket TO-249AB |
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