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MURP20020CTG

MURP20020CTG

Nur als Referenz

Teilenummer MURP20020CTG
PNEDA Teilenummer MURP20020CTG
Beschreibung DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.658
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MURP20020CTG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMURP20020CTG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MURP20020CTG, MURP20020CTG Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 109,4 KB)
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MURP20020CTG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr150µA @ 300V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPowertap II
LieferantengerätepaketPowerTap II

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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STMicroelectronics

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

410mV @ 19A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 15V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

MBR40035CTRL

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Twin Tower

SBR30200CTFP

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

99A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.5V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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