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MURH10060R

MURH10060R

Nur als Referenz

Teilenummer MURH10060R
PNEDA Teilenummer MURH10060R
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MURH10060R Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMURH10060R
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MURH10060R, MURH10060R Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 645,24 KB)
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MURH10060R Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)110ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-67
LieferantengerätepaketD-67
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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PDS560-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

C3D10170H

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1700V

Current - Average Rectified (Io)

14.4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 1700V

Kapazität @ Vr, F.

827pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FR304G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

80EPF12

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

480ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

EGP10DHE3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

22pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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06035C104KAT2A

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CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603