MURB1660CTT4G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MURB1660CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MURB1660CTT4G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 699 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MURB1660CTT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MURB1660CTT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MURB1660CTT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-3 |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 860mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 550µA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P(N) |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 15V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 80A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 15V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall PRM2 Lieferantengerätepaket PRM2 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 321A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 320A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 140ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 12µA @ 400V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-244AB Lieferantengerätepaket TO-244AB |
