MUR4L20HB0G
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Teilenummer | MUR4L20HB0G |
PNEDA Teilenummer | MUR4L20HB0G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.454 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MUR4L20HB0G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MUR4L20HB0G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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MUR4L20HB0G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | 65pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Semtech Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3000V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 5V @ 250mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 3000V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |