MUR30005CT
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| Teilenummer | MUR30005CT |
| PNEDA Teilenummer | MUR30005CT |
| Beschreibung | DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MUR30005CT Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MUR30005CT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MUR30005CT Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 170ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1000V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-93-2 Lieferantengerätepaket SOD-93 |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 2 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 150nA @ 70V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodenkonfiguration 3 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 175mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 30V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
