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MUN5213DW1T3G

MUN5213DW1T3G

Nur als Referenz

Teilenummer MUN5213DW1T3G
PNEDA Teilenummer MUN5213DW1T3G
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUN5213DW1T3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUN5213DW1T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
MUN5213DW1T3G, MUN5213DW1T3G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 161,89 KB)
PDFNSBC144EDXV6T5G Datenblatt Cover
NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 2 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 3 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 4 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 5 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 6 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 7 NSBC144EDXV6T5G Datenblatt Seite 8

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MUN5213DW1T3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

MUN5232DW1T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

SMUN5113DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

187mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

RN2601(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SM6

NUS2401SNT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

175Ohms, 10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

350mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

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