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MUN5114T1

MUN5114T1

Nur als Referenz

Teilenummer MUN5114T1
PNEDA Teilenummer MUN5114T1
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUN5114T1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUN5114T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
MUN5114T1, MUN5114T1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 157,78 KB)
PDFMUN5135T1 Datenblatt Cover
MUN5135T1 Datenblatt Seite 2 MUN5135T1 Datenblatt Seite 3 MUN5135T1 Datenblatt Seite 4 MUN5135T1 Datenblatt Seite 5 MUN5135T1 Datenblatt Seite 6 MUN5135T1 Datenblatt Seite 7 MUN5135T1 Datenblatt Seite 8 MUN5135T1 Datenblatt Seite 9 MUN5135T1 Datenblatt Seite 10 MUN5135T1 Datenblatt Seite 11

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MUN5114T1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max202mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70-3 (SOT323)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

MUN5111T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

202mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

FJNS4201RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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