MUH1PB-M3/89A
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| Teilenummer | MUH1PB-M3/89A |
| PNEDA Teilenummer | MUH1PB-M3-89A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MUH1PB-M3/89A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MUH1PB-M3/89A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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MUH1PB-M3/89A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | MicroSMP |
| Lieferantengerätepaket | MicroSMP |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.26V @ 38A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA (DO-4) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 44pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 0.98V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall L-FLAT™ Lieferantengerätepaket L-FLAT™ (4x5.5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 17pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
