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MUBW10-06A6

MUBW10-06A6

Nur als Referenz

Teilenummer MUBW10-06A6
PNEDA Teilenummer MUBW10-06A6
Beschreibung MODULE IGBT CBI E1
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUBW10-06A6 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUBW10-06A6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MUBW10-06A6, MUBW10-06A6 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 234,72 KB)
PDFMUBW10-06A6 Datenblatt Cover
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MUBW10-06A6 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Leistung - max45W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.435nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE1
LieferantengerätepaketE1

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Dual Brake Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1600A

Leistung - max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

130nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT300A60D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APT50GR120JD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

84A

Leistung - max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4

Lieferantengerätepaket

SOT-227

IRG7U150HF12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

APTGF350A60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

430A

Leistung - max

1562W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 360A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

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