MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 5.671 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.2V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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