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MT61M256M32JE-10 N:A TR

MT61M256M32JE-10 N:A TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT61M256M32JE-10 N:A TR
PNEDA Teilenummer MT61M256M32JE-10-N-A-TR
Beschreibung IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 3.454
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MT61M256M32JE-10 N:A TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT61M256M32JE-10 N:A TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT61M256M32JE-10 N:A TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatRAM
TechnologieSGRAM - GDDR6
Speichergröße8Gb (256M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz1.25GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.21V ~ 1.29V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall180-TFBGA
Lieferantengerätepaket180-FBGA (12x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

AT25640A-10PU-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-TFBGA (13x15)

TE28F256P30T95A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

95ns

Zugriffszeit

95ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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