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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

Nur als Referenz

Teilenummer MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
PNEDA Teilenummer MT53E384M32D2DS-046-AUT-E
Beschreibung IC DRAM LPDDR4 FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53E384M32D2DS-046 AUT:E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße12Gb (384M x 32)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz2.133GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung0.6V, 1.1V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

64M (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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