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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
PNEDA Teilenummer MT53D512M64D8TZ-053-WT-ES-B-TR
Beschreibung IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz1866MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.1V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

95ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-LBGA (11x13)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-VFBGA (8x9)

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AKM Semiconductor Inc.

Hersteller

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

4MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

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