MT53D512M64D4SB-046 XT:E
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| Teilenummer | MT53D512M64D4SB-046 XT:E |
| PNEDA Teilenummer | MT53D512M64D4SB-046-XT-E |
| Beschreibung | IC DRAM 32G 2133MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT53D512M64D4SB-046 XT:E Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT53D512M64D4SB-046 XT:E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT53D512M64D4SB-046 XT:E Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 2133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 128Gb (16G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 48-TSOP |
