MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
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| Teilenummer | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
| PNEDA Teilenummer | MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 2133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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